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發(fā)布時間: 2024-08-15
產(chǎn)品型號: GDAT-A
廠商性質(zhì): 生產(chǎn)廠家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號
產(chǎn)品特點: 絕緣材質(zhì)介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀廠家1.Q值測量 a.Q值測量范圍:2~1023。 b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
絕緣材質(zhì)介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀廠家
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀
GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
塑料材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀廠家技術(shù)指標(biāo)
1.Q值測量
a.Q值測量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c.標(biāo)稱誤差
項 目GDAT-A
頻率范圍20kHz~10MHz;
固有誤差≤5%
工作誤差≤7%
頻率范圍10MHz~60MHz;
固有誤差≤6%
工作誤差≤8%
2.電感測量范圍:14.5nH~8.14H
3.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀電容測量:1~ 460
項 目 GDAT-A
直接測量范圍
1~460pF 主電容調(diào)節(jié)范圍 準(zhǔn)確度 30~500pF 150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
注:大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則
4.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀信號源頻率覆蓋范圍
項 目
GDAT-A
頻率范圍
10kHz~50MHz
頻率分段
(虛擬)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz
塑料材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀廠家電感:
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH
雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。
自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
計算機(jī)自動修正技術(shù)和測試回路優(yōu)化 —使測試回路 殘余電感減至低,治療 Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。
介電常數(shù)測試儀根據(jù)靜電學(xué)的研究成果, 真空中一個孤立的電荷q 會在其周圍產(chǎn)生電場E,當(dāng)另外的一個試驗電荷q0 進(jìn)入到該電場中時會受到電場力的作用。由電荷q 所產(chǎn)生的電場強(qiáng)度為:
其中, ε0為真空中的介電常數(shù);r 為距離點電荷q 的徑向距離。一般來說,電場強(qiáng)度是一個矢量。試驗電荷q0 在距電荷q的距離為r 的點上受到的電場力為:
根據(jù)力的反作用性質(zhì),電荷q 也同樣受到試驗電荷q0所產(chǎn)生的電場的力的作用且作用力的大小相等方向相反。根據(jù)式(1) 可知,真空中的介電常數(shù)ε0表征了孤立電荷q 在給定的距離r 上產(chǎn)生的電場強(qiáng)度的大小。如果將式(1) 中的真空條件換為某種電介質(zhì), 則同樣的孤立電荷q 所產(chǎn)生的電場強(qiáng)度將可表示為:
其中,ε為該種電介質(zhì)的介電常數(shù)。在實際應(yīng)用中,人們通常將真空中的介電常數(shù)ε0選作一個參照,而將電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與ε0的比值定義成為一個無量綱的相對介電常數(shù)εr,如式(4) 所示:
由于真空是一個理想的電介質(zhì)模型( 沒有原子、分子) ,所以,在實際電介質(zhì)中由于束縛電荷效應(yīng)使原電荷q所產(chǎn)生的電場有所下降的情況在真空中不可能出現(xiàn)。因此, 針對實際電介質(zhì)的相對介電常數(shù)Er 總是滿足大于或等于1。
由式(3) 可見,介電常數(shù)ε表示了電荷q 在電介質(zhì)中所產(chǎn)生的電場強(qiáng)度的大小的一個制約因素( 除了距離之外,也是*的制約因素) 。顯然,這種推論在靜電場的情況下是*可以被接受的,但是若要將這一推論直接應(yīng)用到交變電場的情況似乎還有些不充分。交變電場情況下電介質(zhì)的微觀表現(xiàn)機(jī)理與宏觀作用的研究取得了一些成果,但是仍然有待更加深入的研究,也是目前電介質(zhì)物理、量子物理的重要研究方向和內(nèi)容之一。
可以確認(rèn)的是電介質(zhì)的介電常數(shù)所表征的屬性在交變電場的情況下也會對交變電場產(chǎn)生影響。比如,交變電場在電介質(zhì)中的傳播速度會降低, 頻率不變,波長會變短( 電磁傳播理論)并且介電常數(shù)越大,相應(yīng)的改變也會越大。
標(biāo)簽:介電常數(shù)測試儀 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀 高頻介電常數(shù)測試儀
詳情咨詢:、 :
北廣公司自主研發(fā)電性能專業(yè)檢測儀器
序號 | 設(shè)備名稱 | 設(shè)備型號 | 測試指標(biāo) | 備注 |
1 | 電壓擊穿試驗儀 | BDJC10KV-150KV | 介電強(qiáng)度、泄漏電流 | 介電強(qiáng)度、泄漏電流 |
2 | 體積表面電阻測定儀 | BEST-121 | 體積電阻率、表面電阻率 | 液晶顯示 |
3 | 體積表面電阻率測定儀 | BEST-212 | 體積電阻率、表面電阻率 |
|
4 | 導(dǎo)體電阻率測定儀 | BEST -19 | 導(dǎo)體電阻率 | 觸摸屏 |
6 | 半導(dǎo)體電阻率測定儀 | BEST-300C | 半導(dǎo)體電阻率 | 觸摸屏 |
7 | 高頻介電常數(shù)測試儀 | GDAT--A | 介電常數(shù)、介質(zhì)損耗 | 測試頻率50HZ-160MHZ |
8 | 工頻介電常數(shù)測試儀 | BQS-37A | 介電常數(shù)、介質(zhì)損耗 | 測試頻率50HZ |
9 | 耐電弧試驗儀 | BDH-20KV | 耐電弧 | 微機(jī)控制、觸摸屏控制 |
10 | 高壓漏電起痕試驗儀 | BLD-6000V | 高壓等級測試 | zui高電壓6KV |
11 | 耐電痕化指數(shù)測定儀 | BLD-600V | 漏電痕跡、電痕化CTI\PTI | zui高電壓600V |