Quality is life, service is the tenet
發(fā)布時間: 2024-08-14
產品型號: GDAT
廠商性質: 生產廠家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號
產品特點: 漆膜介電常數測試儀介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據;儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。
漆膜介電常數測試儀工作特性:
1.Q值測量
a.Q值測量范圍:2~1023;
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔;
c.標稱誤差
| A | C |
頻率范圍 | 25kHz~10MHz | 100kHz~10MHz |
固有誤差 | ≤5%±滿度值的2% | ≤5%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤7%±滿度值的2% | ≤7%±滿度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz~60MHz | 10MHz~160MHz |
固有誤差 | ≤6%±滿度值的2% | ≤6%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤8%±滿度值的2% | ≤8%±滿度值的2% |
2.電感測量范圍
A | C |
14.5nH~8.14H | 4.5nH~140mH |
3.電容測量
| A | C |
直接測量范圍 | 1~460p | 1~205p |
主電容調節(jié)范圍 | 40~500pF | 18~220pF |
準確度 | 150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1% | 150pF以下±1.5pF 150pF以上±1% |
注:大于直接測量范圍的電容測量見使用方法。
4.信號源頻率覆蓋范圍
| A | C |
頻率范圍 | 10kHz~60MHz | 0.1~160MHz |
CH1 | 10~99.9999kHz | 0.1~0.999999MHz |
CH2 | 100~999.999kHz | 1~9.99999MHz |
CH3 | 1~9.99999MHz | 10~99.9999MHz |
CH4 | 10~60MHz | 100~160MHz |
頻率指示誤差 | 3×10-5±1個字 |
漆膜介電常數測試儀讀書清晰,無須換算,操作簡便,特別適合電子元器件的質量分析,品質控制,科研生產,也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學等專業(yè)作科研實驗儀器.
2.技術指標
2.1 測量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對濕度為30%-80%條件下,應滿足
下列表中的技術指示要求。
在Cn=100pF R4=3183.2(W)(即10K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質損耗tgd 0~1 ±1.5%tgdx±0.0001
在Cn=100pF R4=318.3(W)(即1K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介質損耗tgd 0~0.1 ±1.5%tgdx±0.0001
2.2 電橋測量靈敏度
電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測量準確度,
希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標準電容量
成正比。
在下面的計算公式中,用戶可根據實際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這
個水平上的電容與介質損耗因數的微小變化都能夠反應出來。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中:U為測量電壓 伏特(V)
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)
Cn標準電容器容量 皮法(pF)
Ig通用指另儀的電流5X10-10 安培(A)
Rg平衡指另儀內阻約1500 歐姆(W)
R4橋臂R4電阻值3183 歐姆(W)
Cx被測試品電容值 皮法(pF)
2.3 電容量及介損顯示精度:
電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 損: ±0.5%tgdx±1×10-4
2.4 輔橋的技術特性:
工作電壓±12V,50Hz
輸入阻抗>1012 W
輸出阻抗>0.6 W
放大倍數>0.99
不失真跟蹤電壓 0~12V(有效值)
2.5 指另裝置的技術特性:
工作電壓±12V
在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格
二次諧波 減不小于25db
三次諧波 減不小于50db
表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
Q合格指示預置功能:預置范圍:5~1000