介電常數(shù)測試儀 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀 GDAT-A

電介質(zhì)是電的絕緣體，它內(nèi)部的自由電荷少到可以忽略的程度。由于分子內(nèi)在力的約束，電介質(zhì)分子中的帶電粒子不能發(fā)生宏觀的位移。然而在外電場的作用下，這些帶電粒子仍然可以有微觀的位移，即電介質(zhì)可以被極化，χe就表示電介質(zhì)的極化率，它反映了電介質(zhì)的性質(zhì)。對電介質(zhì)中各點的χe都相同，真空中χe=0，而除此之外任何介質(zhì)的χe0。
　　在電容器的兩個極板之間充入電介質(zhì)，可以使電容器增大，實用中常利用這種方法增大電容器的電容。兩極板間充滿某種均勻介質(zhì)時的電容C與極板間為真空時的電容C0的比值εr=C/C0，εr由電介質(zhì)的性質(zhì)決定，叫做電介質(zhì)的相對介電常數(shù)（沒有單位）。
　　在有理化米,千克,秒,安培制（MKSA有理制）中，通常引入ε0代替k（k=8.9880×109N·m2·C-2），令k=1/4πε0，則ε0=1/4πk。ε0為真空中的介電常數(shù)，數(shù)值為8.8538×10-12C2·N-1·m-2=8.8538×10-12F·m-1，約為8.85×10-12F·m-1。以平行板電容器為例，C0=ε0S/d，相對介電常數(shù)εr=C/C0，所以C=εrC0=εrε0S/d。定義ε=εrε0，則ε叫做電介質(zhì)的介電常數(shù)。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀特點： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。

同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計算得到介電常數(shù)。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

標(biāo)簽：

介電常數(shù)測試儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀

高頻介電常數(shù)測試儀