電壓擊穿試驗儀高真空電擊穿

由于高真空狀況下氣體密度減少到很小的程度，電子或離子的自在程將很固體介質擊穿長，以致在空隙中不易發(fā)作碰撞電離，因而空隙的擊穿電壓將會很高(帕邢定律的左半支曲線)。某些設備高真空空隙的擊穿場強可高達1.3MV/cm。影響真空空隙擊穿進程有許多要素，如真空度、空隙間隔、電極資料、電極狀況、電壓作用時間等。在真空放電中，電極表面進程，特別是陰極表面進程是非常重要的，許多研究工作圍繞著這個問題進行，提出了各種真空擊穿放電模型，如場致發(fā)射模型、微粒模型、微放電模型等。關于脈沖電壓擊穿的機制，看法比較一致。關于穩(wěn)態(tài)電壓下的真空擊穿機制，P.A.恰特登以為，在空隙間隔d≈10^-3~10^-1cm的區(qū)域，可能是場致發(fā)射引起擊穿;在d≈10^-1~1cm的區(qū)域，可能是微放電的擊穿機制;更大的空隙， 可能是微粒擊穿機制。

工頻溝通電壓效果下的氣體介質擊穿。在均勻電場(見不均勻電場)的空隙中，工頻擊穿電壓和直流擊穿電壓相等。在極不均勻電場的空隙中(如棒-板間氣體介質擊穿隙)，擊穿總是發(fā)生在棒電極處于正極性的狀況，因而溝通擊穿電壓幅值與正極性棒對負極性板空隙的直流擊穿電壓附近。棒-板空氣空隙的溝通平均擊穿場強為Eа≈4.8kV/cm，與上述E+很接近。為供給高電壓輸電線或變電所空氣空隙距離的規(guī)劃根據，近年來很多人研究長空氣空隙的工頻擊穿電壓(見長空隙擊穿)。圖2為1~ 10m空隙距離的擊穿電壓曲線。圖中，曲線1、2是棒-棒電極空隙，上棒電極均為5m，下棒電極分別為6m及3m，兩者的擊穿電壓稍有差異。這是因為曲線2的下棒電極短，大地的影響大。曲線3是棒-地空隙的擊穿電壓，它比棒-棒空隙的數(shù)值低許多，并且有"飽滿"的趨勢。這些實驗是在室內進行的，后來由野外實驗說明，并未呈現(xiàn)"飽滿"現(xiàn)象。"飽滿"現(xiàn)象是因為實驗室墻的影響引起的。進行長空隙的實驗需要很大的實驗室，出資很多。因而許多人在研究用理論模型核算或實驗模仿來替代實踐尺寸的實驗。

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